VLSI Design

Analiza I Recenzja Aplikacji Na Androida: VLSI Design, Opracowane Przez Engineering Wale Baba. Wymienione W Kategorii Książki I Materiały Źródłowe. Aktualna Wersja To V6Q, Zaktualizowana 24/08/2025 . Według Opinii Użytkowników W Google Play: VLSI Design. Osiągnięto W Przypadku Instalacji 2 X 7. VLSI Design Ma Obecnie 172 Recenzji, Średnia Ocena 2.8 Gwiazdek

Ta aplikacja jest kompletnym bezpłatnym podręcznikiem projektowania VLSI, który obejmuje ważne tematy, notatki i materiały dotyczące kursu.

zawiera szczegółowo ponad 90 tematów projektowania VLSI. Tematy te są podzielone na 5 jednostek.

Jest to część edukacji inżynierii elektroniki i komunikacji, która zawiera ważne tematy, notatki, wiadomości i blog na ten temat. Pobierz aplikację jako skrócony przewodnik i eBook na ten temat elektroniki i inżynierii komunikacyjnej.

Aplikacja jest przeznaczona do szybkiego uczenia się, powtórek, referencji w czasie egzaminów i rozmów kwalifikacyjnych.

Ta aplikacja obejmuje większość powiązanych tematów i szczegółowe wyjaśnienie ze wszystkimi podstawowymi tematami.

Niektóre z tematów omówionych w tym e-booku inżynieryjnym to:

1. Pamięci półprzewodnikowe: wprowadzenie i typy
2. Pamięć tylko do odczytu (ROM)
3. Trzy tranzystorowe ogniwo DRAM
4. Jedna tranzystorowa komórka DRAM
5. Pamięć flash
6. Obwody logiczne CMOS małej mocy: wprowadzenie
7. Projektowanie falowników CMOS
8. Falowniki MOS: wprowadzenie do charakterystyki przełączania
9. Techniki oparte na skanowaniu
10. Wbudowane techniki autotestu (BIST)
11. Historyczna perspektywa projektowania VLSI: prawo Moore'a
12. Klasyfikacja typów obwodów cyfrowych CMOS
13. Przykład projektu obwodu
14. Metodologie projektowania VLSI
15. Przepływ projektowy VLSI
16. Hierarchia projektu
17. Pojęcie regularności, modułowości i lokalności
18. Produkcja CMOS
19. Przebieg procesu produkcyjnego: podstawowe kroki
20. Wykonanie tranzystora nMOS
21. Produkcja CMOS: proces p-well
22. Produkcja CMOS: proces n-dołków
23. Produkcja CMOS: proces z podwójną wanną
24. Diagramy kija i projekt układu maski
25. Tranzystor MOS: struktura fizyczna
26. System MOS pod wpływem zewnętrznego uprzedzenia
27. Struktura i działanie MOSFET
28. Napięcie progowe
29. Aktualne charakterystyki napięciowe MOSFET
30. Skalowanie mosfetów
31. Efekty skalowania
32. Małe efekty geometryczne
33. Pojemności MOS
34. Falownik MOS
35. Charakterystyka przenoszenia napięcia (VTC) falownika MOS
36. Falowniki z obciążeniem MOSFET typu n
37. Falownik obciążenia rezystancyjnego
38. Konstrukcja falowników zubożonych
39. Falownik CMOS
40. Definicje czasu opóźnienia
41. Obliczanie czasów opóźnienia
42. Konstrukcja falownika z ograniczeniami opóźnienia: przykład
43. Kombinowane układy logiczne MOS: wprowadzenie
44. Obwody logiczne MOS z wyczerpywaniem się obciążeń nMOS: dwuwejściowa bramka NOR
45. Obwody logiczne MOS z wyczerpywaniem się obciążeń nMOS: Uogólniona struktura NOR z wieloma wejściami
46. ​​Obwody logiczne MOS z wyczerpywaniem się obciążeń nMOS : Analiza stanów nieustalonych bramki NOR
47. Obwody logiczne MOS z wyczerpywaniem się obciążeń nMOS: dwuwejściowa bramka NAND
48. Obwody logiczne MOS z wyczerpywaniem obciążeń nMOS: Uogólniona struktura NAND z wieloma wejściami
49. Obwody logiczne MOS z wyczerpywaniem się obciążeń nMOS : Analiza stanów nieustalonych bramki NAND
50. Obwody logiczne CMOS: bramka NOR2 (dwa wejścia NOR)
51. Bramka CMOS NAND2 (dwa wejścia NAND)
52. Układ prostych bramek logicznych CMOS
53. Złożone układy logiczne
54. Złożone bramki logiczne CMOS
55. Układ złożonych bramek logicznych CMOS
56. Bramki AOI i OAI
57. Bramki pseudo-nMOS
58. Obwód pełnego sumatora CMOS i sumator tętnień przenoszenia
59. Bramki transmisyjne CMOS (bramki przepustowe)
60. Uzupełniająca logika tranzystora przejścia (CPL)
61. Sekwencyjne obwody logiczne MOS: Wprowadzenie
62. Zachowanie elementów bistabilnych
63. Obwód zatrzasku SR
64. Taktowany zatrzask SR
65. Taktowany zatrzask JK
66. Flip-Flop Master-Slave
67. CMOS D-Latch i przerzutnik z wyzwalaniem krawędziowym
68. Dynamiczne obwody logiczne: wprowadzenie
69. Podstawowe zasady obwodów tranzystorowych przepustowych

Wszystkie tematy nie są wymienione z powodu ograniczeń postaci.

Każdy temat jest uzupełniony diagramami, równaniami i innymi formami reprezentacji graficznych dla lepszego uczenia się i szybkiego zrozumienia.

Ta aplikacja będzie przydatna do szybkiego odniesienia. Przegląd wszystkich koncepcji można zakończyć w ciągu kilku godzin za pomocą tej aplikacji.

Zamiast wystawiać nam niższą ocenę, prześlij nam swoje pytania, problemy i przekaż nam cenne oceny i sugestie, abyśmy mogli rozważyć to w przyszłych aktualizacjach. Chętnie je dla Ciebie rozwiążemy.

Read more